ESD對電子元器件的損害

很強的靜電場會導致MOS場效應器件的柵氧化層被擊穿，使電子元器件失效。即便是致密無針孔的高質量氧化層, 也會在100 V的靜電電壓下被擊穿。對于有保護措施的電路，雖然 擊穿電壓可能髙于100 V,但危險靜電源的電壓可能是幾千伏，甚 至上萬伏。因此，高壓靜電場的擊穿效應仍然是MOS電路的一大 危害。另外，高壓靜電場也可能使多層布線電路間介質擊穿或金屬 化導線間介質擊穿，造成電路失效。

2.潛在性失效

潛在性失效是指當電子元器件暴露在ESD環境中，可能引起電子元器件性能的部分退化,但是暫時不影響它發揮應有的功能。然而，電子元器件的使用壽命大大縮短。這種損傷具有累加性，隨著所遭受的ESD脈 沖次數的增多，使器件的靜電損傷電壓閾值逐次降低，或使器件的 參數緩慢變壞。據資料統計表明:潛在性失效占電子元器件ESD失 效總數的90%。因此,電子元器件的潛在性失效危害更大。